时间：2022-08-19 06:27:17
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随着机构体制改革的变化，很多农机管理服务设备并不齐全，管理人员没有独立的办公场所，缺少培训的场地和设备，有时候由于落后的各种设备和交通工具使得推广人员并不能切实落实培训传达工作，对工作的实施拖拖拉拉，使得农机技术的推广得不到时效的推广。
2农机技术推广的创新途径
2.1加大宣传力度
当今宣传成了让大家了解一种东西的最好方法，为了让广大农民重视农机技术推广的创新，我们就要大力宣传农机技术推广创新的重要性以及会给农民带来的广大利益。我们要真确制定宣传的内容，宣传国家的政策方针以及惠民政策，让广大农民真正意识到农机技术推广的创新给他们带来的好处；同时我们要正确利用媒介技术的宣传，比如电视网络等的宣传，也可以组织宣传人员下到农村中亲自宣传，切实增强宣传工作的高效性。
2.2建立新的体系制度
在新的社会形势下，要想推广农机技术就要建立新的体系制度，切实保障农民的利益。比如:国家可以建立相应的法律法规，从广大农民的根本利益出发，给予相应的政策辅助和资金保障，并且落实到个人身上。同时，建立以农机化技术为主体，各种农民专业合作共同发展，农机科研、生产和培训广泛参与的农业体系，农机化各部门要切实履行上级的指导，为农机技术推广的创新建立法律保障，提高可行性。
2.3增强推广队伍的素质
推广人员是农民与国家的沟通桥梁，推广人员应该把上级传达的任务指标切实传达给农民，不偷工减料，不从中谋取利益；同时也要真正了解农民的真正需求，然后切实把信息反馈给上级。然而要真正提高推广人员的素质，就要加强对他们的专业培训，比如：不断教育推广新技术的知识给推广人员，可以让他们在专门的机构学习培训，也可以让一些重要组织者外出专门学习新的技术经验。这样，就可以把他们学的新的技术经验切实传达给其他成员，这样才可以全面促进人员素质的提高。
2.4加大典型事例的宣传力度
推广人员在推广农机技术时，不能光靠组织者的语言宣传，要结合典型的事例，让农民真正懂得新技术的操作方法和效益所在。比如：建立健全的信息网络结构，将典型成功的农技推广事例给农民展现出来，让他们真正感受到技术的伟大性。也可以邀请一些专家人员来给农民亲自讲授，将农机化技术将给农民，做给农民，教会农民，让他们真正体会到国家的惠民政策，鼓励他们主动积极地参与到农机技术推广的创新工作中来。
3小结
论文摘要高山茭白栽培技术包括茭种选择、田块选择、整地施肥、挖苗、定苗、栽植、疏苗、补苗、追肥、灌水、除草、病虫害防治等方面的内容，通过高山茭白栽培技术的详细介绍，为茭白的反季节栽培获得成功提供参考。
1茭种选择
应选择生长健壮、抗逆性强、产量高、不易发青、产茭大而嫩的茭墩为种苗。
2选地
双季茭选择海拔700m以上，单季茭选择海拔500m以上，且水源充足、排灌方便、有冷水流动、通风的田块种植。
3整地施肥
茭白生长期长，生长量大，要求土壤肥沃。整地时，先加固田埂，以利保水。冬季栽植施腐熟猪、牛栏粪37.5~50t/hm2或鸡粪15t/hm2、磷肥750kg/hm2、锌肥22.5kg/hm2，生石灰1500~2250kg/hm2；春季栽植另增施45%复合肥750kg/hm2，耕耙平整，灌水深2~3cm，达到田平、泥烂、肥足，以满足茭白生长发育的需要。
4挖苗、分苗
确定好种茭后，在挖茭苗前，先去除田间雄茭，灰茭墩，留10~20cm割去茭墩上部老叶，将老茭墩挖起，用利刀劈开，以一根带根的老茎为1株，劈口要直，不能歪斜，不伤芽，随挖、随分、随栽。
5栽植
高山茭白单季茭以10~11月栽植为主，也可在第二年的3月中旬前栽植，行距宽行1.1m、窄行60cm，株距40cm。双季茭为了提高夏茭的孕茭率，栽种时间以10月下旬至11月下旬为好。行距宽行90cm、窄行60cm，株距50cm，栽植2.7万株/hm2，栽植深度以不歪苗、不浮苗、秧苗的白色部分埋入土中即可。
6田间管理
6.1疏苗、补苗
在苗高15~20cm时进行疏苗，疏除密、弱茭苗，同时在茭墩中间压一块泥，使茭墩分蘖向四周均匀生长，以利通风透光。单季茭每墩留苗7~10根，双季茭每墩留苗10~15根。6.2灌水
茭白在整个生长期间不能断水，水位要随着不同生育阶段进行调节。茭白栽植后田间保持水深3~4cm越冬；春季茭白开始生长时，水位宜浅，保持3cm左右，以利地温升高，促发棵；4月下旬前后，可视茭白分蘖情况进行一次烤田，后灌10~15cm深水控制分蘖。孕茭期可加深到20cm的水位，但不能超过茭白眼。夏茭孕茭时天气渐热，茭白要勤换水，或活水灌溉，有利延长夏茭孕茭。秋茭收获后要落浅到3~4cm的水位。地上部枯死后的休眠期保持1cm的浅水，水位深会使薹管腐烂，影响次年的萌发。
6.3追肥
高山茭白追肥宜早不宜迟，以促苗早发，早孕茭。结合水层管理，促进前期有效分蘖，控制后期无效分蘖，促进孕茭。茭白生长期长，除施足基肥外，必须适时追肥。第一次可在萌芽时追施尿素150kg/hm2、氯化钾225kg/hm2；第二次在分蘖时施45%复合肥750kg/hm2；第三次双季茭在谷雨前、单季茭在立夏前，施45%复合肥450~750kg/hm2。夏茭采收过程中，可根据茭苗生长情况适量追肥。夏茭采收后可施45%复合肥450~750kg/hm2，以利秋茭生长。
6.4耘田除草
茭白耘田可在茭白株行间用铁耙翻动土壤，达到中耕、松土、除草的目的，并可提高土温，加速肥料的吸收利用。一般耘田进行2~3次，第一次在植株开始返青时进行，以后隔15d进行1次。
6.5清除雄茭、灰茭
雄茭和灰茭不能结茭，应随时加以去除。去除的空位，可用分蘖多的正常茭墩上的苗补上。
6.6剥枯叶、拉黄叶
剥枯叶、拉黄叶是清除枯老的叶片，增加植株间的通风透光条件。一般在夏茭采收后期开始，根据植株生长情况，把枯老的叶片剥清拉光，要求是拉清不拉伤，把拉下的黄叶踩入田间作为肥料。
6.7病虫害防治
茭白病虫害防治要以预防为主、化学防治为辅。在搞好农业防治的同时，大力推广物理防治，合理使用药剂。主要病虫害有胡麻叶斑病、锈病、飞虱、螟虫等。胡麻叶斑病：在5月份发病初期用50%扑海因悬浮剂600倍液，或20%三环唑500倍液喷雾。锈病：发病初期用15%三唑酮可湿性粉剂800~1000倍液或67%敌锈钠可湿性粉剂200倍液喷雾，隔7~10d喷1次，交替用药，连防2~3次。孕茭期慎用。飞虱：可选用10%吡虫啉可湿性粉剂1500倍液喷雾防治。螟虫：用5%锐劲特胶悬剂1000倍液喷雾防治。
数据挖掘技术是近些年发展起来的一门新兴学科，它涉及到数据库和人工智能等多个领域。随着计算机技术的普及数据库产生大量数据，能够从这些大量数据中抽取出有价值信息的技术称之为数据挖掘技术。数据挖掘方法有统计学方法、关联规则挖掘、决策树方法、聚类方法等八种方法，关联规则是其中最常用的研究方法。关联规则算法是1993年由R.Atal,Inipusqi,Sqtm三人提出的Apriori算法，是指从海量数据中挖掘出有价值的能够揭示实体和数据项间某些隐藏的联系的有关知识，其中描述关联规则的两个重要概念分别是Suppor（t支持度）和Confi-dence（可信度）。只有当Support和Confidence两者都较高的关联规则才是有效的、需要进一步进行分析和应用的规则。
二、使用Weka进行关联挖掘
Weka的全名是怀卡托智能分析环境（WaikatoEnviron-mentforKnowledgeAnalysis），是一款免费的、非商业化的、基于JAVA环境下开源的机器学习以及数据挖掘软件[2]。它包含了许多数据挖掘的算法，是目前最完备的数据挖掘软件之一。Weka软件提供了Explorer、Experimenter、Knowledge-Flow、SimpleCLI四种模块[2]。其中Explorer是用来探索数据环境的，Experimenter是对各种实验计划进行数据测试，KnowledgeFlow和Explorer类似，但该模块通过其特殊的接口可以让使用者通过拖动的形式去创建实验方案，Simple-CLI为简单的命令行界面。以下数据挖掘任务主要用Ex-plorer模块来进行。
（一）数据预处理
数据挖掘所需要的所有数据可以由系统排序模块生成并进行下载。这里我们下载近两年的教师科研信息。为了使论文总分、学术著作总分、科研获奖总分、科研立项总分、科研总得分更有利于数据挖掘计算，在这里我们将以上得分分别确定分类属性值。
（二）数据载入
点击Explorer进入后有四种载入数据的方式，这里采用第一种Openfile形式。由于Weka所支持的标准数据格式为ARFF，我们将处理好的xls格式另存为csv，在weka中找到这个文件并重新保存为arff文件格式来实现数据的载入。由于所载入的数据噪声比较多，这里应根据数据挖掘任务对数据表中与本次数据任务不相关的属性进行移除，只将学历、职称、论文等级、学术著作等级、科研获奖等级、科研立项等级、科研总分等级留下。
（三）关联挖掘与结果分析
WeakExplorer界面中提供了数据挖掘多种算法，在这里我们选择“Associate”标签下的Apriori算法。之后将“lowerBoundMinSupprot”（最小支持度）参数值设为0.1，将“upperBoundMinSupprot”（最大支持度）参数值设为1，在“metiricType”的参数值选项中选择lift选项，将“minMetric”参数值设为1.1，将“numRules”（数据集数）参数值设为10，其它选项保存默认值，这样就可以挖掘出支持度在10%到100%之间并且lift值超过1.1且排名前10名的关联规则。其挖掘参数信息和关联挖掘的部分结果。
三、挖掘结果与应用
以上是针对教师基本情况和科研各项总分进行的反复的数据挖掘工作，从挖掘结果中找到最佳模式进行汇总。以下列出了几项作为参考的关联数据挖掘结果。
1、科研立项得分与论文、科研总得分关联度高，即科研立项为A级的论文也一定是A。这与实际也是相符的，因为科研立项得A的教师应该是主持了省级或是国家级的立项的同时也参与了其他教师的科研立项，在课题研究的过程中一定会有国家级论文或者省级论文进行发表来支撑立项，所以这类教师的论文得分也会很高。针对这样的结果，在今后的科研工作中，科研处要鼓励和帮助教师搞科研，为教师的科研工作提供精神上的支持和物质上的帮助，这样在很大程度上能够带动整个学校科研工作的进展。
2、副教授类的教师科研立项得分很高，而讲师类教师和助教类教师的科研立项得分很低，这样符合实际情况。因为副教授类的教师有一定的教学经验，并且很多副教授类的教师还想晋职称，所以大多数副教授类教师都会申请一些课题。而对于讲师类和助教类的教师，由于教学经验不足很少能进行省级以上的课题研究，因此这两类教师的科研立项分数不高。针对这样的结果，在今后的科研工作中，科研处可以采用一帮一、结对子的形式来帮助年轻教师，这样可以使青年教师参与到老教师的科研课题研究工作中去，在课题研究工程中提高科研能力和教学能力。
关键词胡萝卜；青菜；马铃薯；甜瓜；复种
胡萝卜与青菜、马铃薯及甜瓜的间套种，可以最大限度地利用光热资源，促进生育期与有利气候同步，实现最佳经济效益。近年来，射阳县耦耕镇示范推广的近666.7hm2多效多复种田，年均净产值达12.795万元/hm2（胡萝卜4.5万kg/hm2×0.8元/kg、越冬青菜2.4万kg/hm2×1元/kg、春小青菜0.6万kg/hm2×0.8元/kg、马铃薯2250kg/hm2×1.4元/kg、甜瓜3万kg/hm2×2元/kg）。其复种要点如下：
1科学选地布局
选择地势高爽、排灌良好、肥沃疏松的砂质壤土，于胡萝卜、马铃薯播栽前，结合耕翻基施优质腐熟粪肥2.25万kg/hm2、腐熟饼肥900kg/hm2、过磷酸钙750kg/hm2、硝酸钾300kg/hm2；再进行深沟高畦种植，畦宽3m，胡萝卜秋播时全田撒播，苗距13cm，留苗60万株/hm2；马铃薯每畦2组合，每1.5m组合春植3行马铃薯，薯间行距45cm（留60cm空幅栽甜瓜，其空幅先种一季春小青菜），平均行距50cm，株距20cm，植9.9万株/hm2；甜瓜每畦2行，行距1.5m，株距40cm，栽1.65万株/hm2左右。
2优化选用良种
胡萝卜选用优质高产、耐热抗病、质脆味甜的扬州红一号等（须用当年新种15kg/hm2）；春小青菜选用优质、高产、抗病的上海小叶青等（需种5.25kg/hm2）；冬青菜选用优质、高产、抗病、耐寒的矮杂2号等（需种2.25kg/hm2）；春马铃薯选用早熟、优质、高产、抗病的克新四号等（以脱毒种薯为好）；播前30d再选择表皮光滑、色艳形正、芽眼饱满、匀称的无病（伤）薯切块催芽（需种2.1kg/hm2）；甜瓜选用优质、高产、抗病、耐贮运的雪美、翠蜜等一代杂交厚皮种（需种0.75kg/hm2）；就近销售者也可选用肉脆、汁多、味甜的海冬青等青皮绿肉型薄皮甜瓜。
3合理安排季节
据试验，长江、淮河流域胡萝卜于8月初择晴天抢墒均匀稀播；11月中旬采收。越冬青菜于10月上旬撒播育苗；11月中旬即胡萝卜采收时随即挖墒畦。选壮苗进行低沟套种栽植（东西向）；春节前后上市，2月底采收完毕。春马铃薯于2月上旬栽植，随即于甜瓜预留空幅间撒播小青菜；4月下旬采收。甜瓜于3月20日左右选择晴天营养钵薄膜育苗；4月下旬（5cm地温15℃以上）待苗龄30~35d、有3~4片真叶时选择晴天进行地膜移植；6月下旬开始采收，7月下旬采收完毕。
4注重精细管理
4.1胡萝卜播前搓去刺毛，播时掺适量干细土，播后浅耧拍实，趁墒情好时用48%氟乐灵1875ml/hm2对水600kg/hm2均匀喷于土表（用药后随即浅耧），灭草保苗。齐苗后结合松土锄草，及时疏苗、间苗2~3次；定苗后用腐熟粪肥9000kg/hm2对水浇施，隔20~25d再施1次腐熟稀粪水，配施适量磷钾肥，催苗促长；肉质根膨大期经常浇水保湿，以满足植株对水分的需要。
4.2青菜须适墒播种，播后浅耧拍实，保墒出苗。因青菜为速生型蔬菜，生长期间须注重肥水管理，轻浇水、勤浇水，通常每5~7d追施1次稀粪水，因苗配施适量速效氮肥。冬青菜于越冬前施用腐熟人畜粪2.25`万kg/hm2对水浇施，结合盖草，有条件的最好在严寒来临前用遮阳网浮面覆盖，以御寒防冻，护苗安全越冬。
4.3春马铃薯地膜栽培（每组合3行覆1m宽地膜），播前先开沟一次性施足肥水，后下种覆土、喷药化除（用50%赛克津750g/hm2）；有条件的在催芽前再用膨大素165g/hm2对水30kg/hm2喷拌切块，堆闷24h后上床催芽；盛蕾初花期因苗喷施1~2次多效唑（即15%可湿性粉剂247.5g/hm2对水750kg/hm2），以抑制地上部营养生长过旺，合理调节植株体内光合产物的运转，促地下块茎迅速膨大。4.4甜瓜在地膜（膜宽50cm）移栽前一次性施足肥水，喷药化除（用50%扑草净2.25kg/hm2）；定植后浇足定根水，培土保湿。生长期间应注重植株调整，待幼苗有5片左右真叶时摘心，实行双蔓整枝，即每株选留2条健壮子蔓；待子蔓长至5~6叶时进行摘心，每子蔓选留3条健壮孙蔓结果（余者全部摘除）；待孙蔓基部细果坐稳后留3片叶左右时进行第3次摘心，每一孙蔓留1果，每株留果5~6个，使其成熟期早而集中，果形大小均匀一致。伸蔓期因苗追施1次坐果肥，用腐熟粪肥9000kg/hm2，配施硝酸钾150kg/hm2对水开塘追施；结合坐果前期叶面喷施植物活力素1000倍液，以利早熟增产。生长期间注意查治黄守瓜、红叶螨及霜霉病、白粉病等病虫害；遇多雨季节及时清沟排水，以起到防渍保苗，促进生长的作用。
参考文献
［1］郭春强,廖平安,靳文奎,等.小麦、甜瓜、棉花复种高效种植模式研究［J］.安徽农业科学,2005,33(1):30.
［2］蒲国年.大蒜间作玉米复种大白菜高效种植模式［J］.农技服务,2007,24(2):18.
改过去一垄二犁成垄为三犁成垄，即按行距先用大耳铧带草把深开沟，而后用三叉齿再深松8.5cm，施肥合垄作成67cm“高胖”大垄。加厚活土层，从而达到保水、保肥、增产的目的。
2增施农家肥，配方施肥
采取基肥为主、追肥为辅，控氮、稳磷、补钾的施肥原则。一般施优质农肥45t/hm2，甘薯专用肥（N∶P2O5∶K2O∶B为9∶6∶17∶1）750kg/hm2或氮磷钾复合肥750kg/hm2。
3品种选择
选择抗逆性强、品质优良、色泽美观、耐贮耐运、产量高、市场畅销的品种，如豫薯10、北京红、烟薯16；大力推广脱毒种苗栽植。①豫薯10号：由河南省商丘市农科所选育。1998年引入瓦房店市，红皮浅红肉，薯形纺锤或下膨。叶、叶脉绿色，三角形，深缺刻，特短蔓，一般长50~80cm，最长120cm，终生不用翻秧。结薯特早，多而匀，产量：春薯一般75t/hm2，最高105t/hm2；夏薯52.5t/hm2，最高75t/hm2。在同一地块1年可种2季，春薯地膜覆盖80~90d，产量45t/hm2左右，可供市场淡季，效益很高。种植密度：春薯6.0万株/hm2，夏薯7.5万株/hm2。②北京红：由北京市农林科学院选育。2000年引入瓦房店市。叶、叶脉绿色，皮紫白瓤，薯形纺锤形，结薯集中整齐，蔓长1.7m左右，一般产量52.5t/hm2左右。该品种适应性广，抗病性强，耐贮藏，适宜在山区丘陵平原地种植。③烟薯16：由山东省烟台市农科院选育。2001年引入瓦房店市。叶、叶脉均为绿色，叶尖心脏形，蔓绿色，短
蔓，分枝较多，蔓粗中等，薯块下膨纺锤形，红皮浅黄肉。该品种淀粉含量高，食味好，结薯集中，薯块大而整齐，抗病性较强，且耐贮藏性好。
4培育壮苗
4.1育苗时间
种薯上床需≥10℃的有效积温110℃，即苗龄30～35d。因此，种薯一般在3月末开始育苗。
4.2催芽
用50%多菌灵可湿性粉剂600倍液浸种消毒后，再用32℃高温催芽，以利多出苗。
4.3苗床温度管理
坚持“前高、中平、后低”的原则，即上床前3～5d，苗床浇足水，床上温度控制在32~33℃左右，6~20d土温控制在20～25℃，20d后温度控制在15～20℃，并适当控制浇水。
4.4壮苗标准
节短，茎粗，苗长25cm，保证有5节，百株苗重不少于500g。
5适时早栽
5月初开始栽植，5月30日栽完，适时移栽期为5月10~20日。先栽背风向阳地块，薄地宜密，肥地宜稀。一般株行距以85~90cm×20cm为宜，栽植4.95~6.00万株/hm2。栽植前，种苗用50%多菌灵可湿性粉剂1000倍液蘸根部消毒以防病害。栽植时，甘薯苗一定斜卧栽，有2~3节在土中，土中每一节都能发根形成根系及分化块根，以促进根系发达，增加地下块根分化数量，控制食用品种特大块根形成，提高商品性，增加产值。6加强田间管理
栽后1周及时补苗，做到苗齐苗壮。早铲早趟做到二铲二趟，达到松土保墒。秧苗伸蔓达33.3cm，结束趟地改翻蔓为提蔓，甘薯茎蔓不易翻动，尤其生长中后期更需注意，对平肥地生长中期可提蔓1~2次。生长中后期出现杂草要及时人工拔除。化控防徒长，甘薯丰产长相为苗期健壮，中期生长旺盛，但茎蔓封行不易过早，以防后期早衰。对旺长的田块可在7月20日左右，喷施多效唑150倍液，控制旺长。中、上等肥力地块一般用多效唑化控4~5次，肥力较差的地块化控2~3次。8月20日至9月10日可连续喷施磷酸二氢钾300倍液。
7病虫害防治
主要病虫害有甘薯茎线虫病、甘薯黑斑病、甘薯软腐病、甘薯小象甲、小地老虎、蛴螬等，可采取综合防治措施，以有效控制田间病虫害发生。
8适时收获
准备贮藏的甘薯应在10月1~5日收完，待干后进行窖贮。
关键词：纳米科学纳米技术纳米管纳米线纳米团簇半导体
NanoscienceandNanotechnology–theSecondRevolution
Abstract:Thefirstrevolutionofnanosciencetookplaceinthepast10years.Inthisperiod,researchersinChina,HongKongandworldwidehavedemonstratedtheabilitytofabricatelargequantitiesofnanotubes,nanowiresandnanoclustersofdifferentmaterials,usingeitherthe“build-up”or“build-down”approach.Theseeffortshaveshownthatifnanostructurescanbefabricatedinexpensively,therearemanyrewardstobereaped.Structuressmallerthan20nmexhibitnon-classicalpropertiesandtheyofferthebasisforentirelydifferentthinkinginmakingdevicesandhowdevicesfunction.Theabilitytofabricatestructureswithdimensionlessthan70nmallowthecontinuationofminiaturizationofdevicesinthesemiconductorindustry.Thesecondnanoscienceandnantechnologyrevolutionwilllikelytakeplaceinthenext10years.Inthisnewperiod,scientistsandengineerswillneedtoshowthatthepotentialandpromiseofnanostructurescanberealized.Therealizationisthefabricationofpracticaldeviceswithgoodcontrolinsize,composition,orderandpuritysothatsuchdeviceswilldeliverthepromisedfunctions.Weshalldiscusssomedifficultiesandchallengesfacedinthisnewperiod.Anumberofalternativeapproacheswillbediscussed.Weshallalsodiscusssomeoftherewardsifthesedifficultiescanbeovercome.
Keywords:Nanoscience,Nanotechnology,Nanotubes,Nanowires,Nanoclusters,“build-up”,“build-down”,Semiconductor
I.引言
纳米科学和技术所涉及的是具有尺寸在1-100纳米范围的结构的制备和表征。在这个领域的研究举世瞩目。例如，美国政府2001财政年度在纳米尺度科学上的投入要比2000财政年增长83%，达到5亿美金。有两个主要的理由导致人们对纳米尺度结构和器件的兴趣的增加。第一个理由是，纳米结构（尺度小于20纳米）足够小以至于量子力学效应占主导地位，这导致非经典的行为，譬如，量子限制效应和分立化的能态、库仑阻塞以及单电子邃穿等。这些现象除引起人们对基础物理的兴趣外，亦给我们带来全新的器件制备和功能实现的想法和观念，例如，单电子输运器件和量子点激光器等。第二个理由是，在半导体工业有器件持续微型化的趋势。根据“国际半导体技术路向（2001）“杂志，2005年前动态随机存取存储器（DRAM）和微处理器（MPU）的特征尺寸预期降到80纳米，而MPU中器件的栅长更是预期降到45纳米。然而，到2003年在MPU制造中一些不知其解的问题预期就会出现。到2005年类似的问题将预期出现在DRAM的制造过程中。半导体器件特征尺寸的深度缩小不仅要求新型光刻技术保证能使尺度刻的更小，而且要求全新的器件设计和制造方案，因为当MOS器件的尺寸缩小到一定程度时基础物理极限就会达到。随着传统器件尺寸的进一步缩小，量子效应比如载流子邃穿会造成器件漏电流的增加，这是我们不想要的但却是不可避免的。因此，解决方案将会是制造基于量子效应操作机制的新型器件，以便小物理尺寸对器件功能是有益且必要的而不是有害的。如果我们能够制造纳米尺度的器件，我们肯定会获益良多。譬如，在电子学上，单电子输运器件如单电子晶体管、旋转栅门管以及电子泵给我们带来诸多的微尺度好处，他们仅仅通过数个而非以往的成千上万的电子来运作，这导致超低的能量消耗，在功率耗散上也显著减弱，以及带来快得多的开关速度。在光电子学上，量子点激光器展现出低阈值电流密度、弱阈值电流温度依赖以及大的微分增益等优点，其中大微分增益可以产生大的调制带宽。在传感器件应用上，纳米传感器和纳米探测器能够测量极其微量的化学和生物分子，而且开启了细胞内探测的可能性，这将导致生物医学上迷你型的侵入诊断技术出现。纳米尺度量子点的其他器件应用，比如，铁磁量子点磁记忆器件、量子点自旋过滤器及自旋记忆器等，也已经被提出，可以肯定这些应用会给我们带来许多潜在的好处。总而言之，无论是从基础研究（探索基于非经典效应的新物理现象）的观念出发，还是从应用（受因结构减少空间维度而带来的优点以及因应半导体器件特征尺寸持续减小而需要这两个方面的因素驱使）的角度来看，纳米结构都是令人极其感兴趣的。
II.纳米结构的制备———首次浪潮
有两种制备纳米结构的基本方法：build-up和build-down。所谓build-up方法就是将已预制好的纳米部件（纳米团簇、纳米线以及纳米管）组装起来；而build-down方法就是将纳米结构直接地淀积在衬底上。前一种方法包含有三个基本步骤：1）纳米部件的制备；2）纳米部件的整理和筛选；3）纳米部件组装成器件（这可以包括不同的步骤如固定在衬底及电接触的淀积等等）。“build-up“的优点是个体纳米部件的制备成本低以及工艺简单快捷。有多种方法如气相合成以及胶体化学合成可以用来制备纳米元件。目前，在国内、在香港以及在世界上许多的实验室里这些方法正在被用来合成不同材料的纳米线、纳米管以及纳米团簇。这些努力已经证明了这些方法的有效性。这些合成方法的主要缺点是材料纯洁度较差、材料成份难以控制以及相当大的尺寸和形状的分布。此外，这些纳米结构的合成后工艺再加工相当困难。特别是，如何整理和筛选有着窄尺寸分布的纳米元件是一个至关重要的问题，这一问题迄今仍未有解决。尽管存在如上的困难和问题，“build-up“依然是一种能合成大量纳米团簇以及纳米线、纳米管的有效且简单的方法。可是这些合成的纳米结构直到目前为止仍然难以有什么实际应用，这是因为它们缺乏实用所苛求的尺寸、组份以及材料纯度方面的要求。而且，因为同样的原因用这种方法合成的纳米结构的功能性质相当差。不过上述方法似乎适宜用来制造传感器件以及生物和化学探测器，原因是垂直于衬底生长的纳米结构适合此类的应用要求。
“Build-down”方法提供了杰出的材料纯度控制，而且它的制造机理与现代工业装置相匹配，换句话说，它是利用广泛已知的各种外延技术如分子束外延(MBE)、化学气相淀积（MOVCD）等来进行器件制造的传统方法。“Build-down”方法的缺点是较高的成本。在“build-down”方法中有几条不同的技术路径来制造纳米结构。最简单的一种，也是最早使用的一种是直接在衬底上刻蚀结构来得到量子点或者量子线。另外一种是包括用离子注入来形成纳米结构。这两种技术都要求使用开有小尺寸窗口的光刻版。第三种技术是通过自组装机制来制造量子点结构。自组装方法是在晶格失配的材料中自然生长纳米尺度的岛。在Stranski-Krastanov生长模式中，当材料生长到一定厚度后，二维的逐层生长将转换成三维的岛状生长，这时量子点就会生成。业已证明基于自组装量子点的激光器件具有比量子阱激光器更好的性能。量子点器件的饱和材料增益要比相应的量子阱器件大50倍，微分增益也要高3个量级。阈值电流密度低于100A/cm2、室温输出功率在瓦特量级（典型的量子阱基激光器的输出功率是5-50mW）的连续波量子点激光器也已经报道。无论是何种材料系统，量子点激光器件都预期具有低阈值电流密度，这预示目前还要求在大阈值电流条件下才能激射的宽带系材料如III组氮化物基激光器还有很大的显著改善其性能的空间。目前这类器件的性能已经接近或达到商业化器件所要求的指标，预期量子点基的此类材料激光器将很快在市场上出现。量子点基光电子器件的进一步改善主要取决于量子点几何结构的优化。虽然在生长条件上如衬底温度、生长元素的分气压等的变化能够在一定程度上控制点的尺寸和密度，自组装量子点还是典型底表现出在大小、密度及位置上的随机变化，其中仅仅是密度可以粗糙地控制。自组装量子点在尺寸上的涨落导致它们的光发射的非均匀展宽，因此减弱了使用零维体系制作器件所期望的优点。由于量子点尺寸的统计涨落和位置的随机变化，一层含有自组装量子点材料的光致发光谱典型地很宽。在竖直叠立的多层量子点结构中这种谱展宽效应可以被减弱。如果隔离层足够薄，竖直叠立的多层量子点可典型地展现出竖直对准排列，这可以有效地改善量子点的均匀性。然而，当隔离层薄的时候，在一列量子点中存在载流子的耦合，这将失去因使用零维系统而带来的优点。怎样优化量子点的尺寸和隔离层的厚度以便既能获得好均匀性的量子点又同时保持载流子能够限制在量子点的个体中对于获得器件的良好性能是至关重要的。
很清楚纳米科学的首次浪潮发生在过去的十年中。在这段时期，研究者已经证明了纳米结构的许多崭新的性质。学者们更进一步征明可以用“build-down”或者“build-up”方法来进行纳米结构制造。这些成果向我们展示，如果纳米结构能够大量且廉价地被制造出来，我们必将收获更多的成果。
在未来的十年中，纳米科学和技术的第二次浪潮很可能发生。在这个新的时期，科学家和工程师需要征明纳米结构的潜能以及期望功能能够得到兑现。只有获得在尺寸、成份、位序以及材料纯度上良好可控能力并成功地制造出实用器件才能实现人们对纳米器件所期望的功能。因此，纳米科学的下次浪潮的关键点是纳米结构的人为可控性。
III.纳米结构尺寸、成份、位序以及密度的控制——第二次浪潮
为了充分发挥量子点的优势之处，我们必须能够控制量子点的位置、大小、成份已及密度。其中一个可行的方法是将量子点生长在已经预刻有图形的衬底上。由于量子点的横向尺寸要处在10-20纳米范围（或者更小才能避免高激发态子能级效应，如对于GaN材料量子点的横向尺寸要小于8纳米）才能实现室温工作的光电子器件，在衬底上刻蚀如此小的图形是一项挑战性的技术难题。对于单电子晶体管来说，如果它们能在室温下工作，则要求量子点的直径要小至1-5纳米的范围。这些微小尺度要求已超过了传统光刻所能达到的精度极限。有几项技术可望用于如此的衬底图形制作。
—电子束光刻通常可以用来制作特征尺度小至50纳米的图形。如果特殊薄膜能够用作衬底来最小化电子散射问题，那特征尺寸小至2纳米的图形可以制作出来。在电子束光刻中的电子散射因为所谓近邻干扰效应（proximityeffect）而严重影响了光刻的极限精度，这个效应造成制备空间上紧邻的纳米结构的困难。这项技术的主要缺点是相当费时。例如，刻写一张4英寸的硅片需要时间1小时，这不适宜于大规模工业生产。电子束投影系统如SCALPEL（scatteringwithangularlimitationprojectionelectronlithography）正在发展之中以便使这项技术较适于用于规模生产。目前，耗时和近邻干扰效应这两个问题还没有得到解决。
—聚焦离子束光刻是一种机制上类似于电子束光刻的技术。但不同于电子束光刻的是这种技术并不受在光刻胶中的离子散射以及从衬底来的离子背散射影响。它能刻出特征尺寸细到6纳米的图形，但它也是一种耗时的技术，而且高能离子束可能造成衬底损伤。
—扫描微探针术可以用来划刻或者氧化衬底表面，甚至可以用来操纵单个原子和分子。最常用的方法是基于材料在探针作用下引入的高度局域化增强的氧化机制的。此项技术已经用来刻划金属（Ti和Cr）、半导体（Si和GaAs）以及绝缘材料（Si3N4和silohexanes），还用在LB膜和自聚集分子单膜上。此种方法具有可逆和简单易行等优点。引入的氧化图形依赖于实验条件如扫描速度、样片偏压以及环境湿度等。空间分辨率受限于针尖尺寸和形状（虽然氧化区域典型地小于针尖尺寸）。这项技术已用于制造有序的量子点阵列和单电子晶体管。这项技术的主要缺点是处理速度慢（典型的刻写速度为1mm/s量级）。然而，最近在原子力显微术上的技术进展—使用悬臂樑阵列已将扫描速度提高到4mm/s。此项技术的显著优点是它的杰出的分辨率和能产生任意几何形状的图形能力。但是，是否在刻写速度上的改善能使它适用于除制造光刻版和原型器件之外的其他目的还有待于观察。直到目前为止，它是一项能操控单个原子和分子的唯一技术。
—多孔膜作为淀积掩版的技术。多孔膜能用多种光刻术再加腐蚀来制备，它也可以用简单的阳极氧化方法来制备。铝膜在酸性腐蚀液中阳极氧化就可以在铝膜上产生六角密堆的空洞，空洞的尺寸可以控制在5-200nm范围。制备多孔膜的其他方法是从纳米沟道玻璃膜复制。用这项技术已制造出含有细至40nm的空洞的钨、钼、铂以及金膜。
—倍塞（diblock）共聚物图形制作术是一种基于不同聚合物的混合物能够产生可控及可重复的相分离机制的技术。目前，经过反应离子刻蚀后，在旋转涂敷的倍塞共聚物层中产生的图形已被成功地转移到Si3N4膜上，图形中空洞直径20nm，空洞之间间距40nm。在聚苯乙烯基体中的自组织形成的聚异戊二烯（polyisoprene）或聚丁二烯（polybutadiene）球（或者柱体）可以被臭氧去掉或者通过锇染色而保留下来。在第一种情况，空洞能够在氮化硅上产生；在第二种情况，岛状结构能够产生。目前利用倍塞共聚物光刻技术已制造出GaAs纳米结构，结构的侧向特征尺寸约为23nm,密度高达1011/cm2。
—与倍塞共聚物图形制作术紧密相关的一项技术是纳米球珠光刻术。此项技术的基本思路是将在旋转涂敷的球珠膜中形成的图形转移到衬底上。各种尺寸的聚合物球珠是商业化的产品。然而，要制作出含有良好有序的小尺寸球珠薄膜也是比较困难的。用球珠单层膜已能制备出特征尺寸约为球珠直径1/5的三角形图形。双层膜纳米球珠掩膜版也已被制作出。能够在金属、半导体以及绝缘体衬底上使用纳米球珠光刻术的能力已得到确认。纳米球珠光刻术（纳米球珠膜的旋转涂敷结合反应离子刻蚀）已被用来在一些半导体表面上制造空洞和柱状体纳米结构。
—将图形从母体版转移到衬底上的其他光刻技术。几种所谓“软光刻“方法，比如复制铸模法、微接触印刷法、溶剂辅助铸模法以及用硬模版浮雕法等已被探索开发。其中微接触印刷法已被证明只能用来刻制特征尺寸大于100nm的图形。复制铸模法的可能优点是ellastometric聚合物可被用来制作成一个戳子，以便可用同一个戳子通过对戳子的机械加压能够制作不同侧向尺寸的图形。在溶剂辅助铸模法和用硬模版浮雕法（或通常称之为纳米压印术）之间的主要差异是，前者中溶剂被用于软化聚合物，而后者中软化聚合物依靠的是温度变化。溶剂辅助铸模法的可能优点是不需要加热。纳米压印术已被证明可用来制作具有容量达400Gb/in2的纳米激光光盘，在6英寸硅片上刻制亚100nm分辨的图形，刻制10nmX40nm面积的长方形，以及在4英寸硅片上进行图形刻制。除传统的平面纳米压印光刻法之外，滚轴型纳米压印光刻法也已被提出。在此类技术中温度被发现是一个关键因素。此外，应该选用具有较低的玻璃化转变温度的聚合物。为了取得高产，下列因素要解决：
1）大的戳子尺寸
2）高图形密度戳子
3）低穿刺（lowsticking）
4）压印温度和压力的优化
5）长戳子寿命。
具有低穿刺率的大尺寸戳子已经被制作出来。已有少量研究工作在试图优化压印温度和压力，但显然需要进行更多的研究工作才能得到温度和压力的优化参数。高图形密度戳子的制作依然在发展之中。还没有足够量的工作来研究戳子的寿命问题。曾有研究报告报道，覆盖有超薄的特氟隆类薄膜的模板可以用来进行50次的浮刻而不需要中间清洗。报告指出最大的性能退化来自于嵌在戳子和聚合物之间的灰尘颗粒。如果戳子是从ellastometric母版制作出来的，抗穿刺层可能需要使用，而且进行大约5次压印后需要更换。值得关心的其他可能问题包括镶嵌的灰尘颗引起的戳子损伤或聚合物中图形损伤，以及连续压印之间戳子的清洗需要等。尽管进一步的优化和改良是必需的，但此项技术似乎有希望获得高生产率。压印过程包括对准、加热及冷却循环等，整个过程所需时间大约20分钟。使用具有较低玻璃化转换温度的聚合物可以缩短加热和冷却循环所需时间，因此可以缩短整个压印过程时间。IV．纳米制造所面对的困难和挑战
上述每一种用于在衬底上图形刻制的技术都有其优点和缺点。目前，似乎没有哪个单一种技术可以用来高产量地刻制纳米尺度且任意形状的图形。我们可以将图形刻制的全过程分成下列步骤：
1．在一块模版上刻写图形
2．在过渡性或者功能性材料上复制模版上的图形
3．转移在过渡性或者功能性材料上复制的图形。
很显然第二步是最具挑战性的一步。先前描述的各项技术，例如电子束光刻或者扫描微探针光刻技术，已经能够刻写非常细小的图形。然而，这些技术都因相当费时而不适于规模生产。纳米压印术则因可作多片并行处理而可能解决规模生产问题。此项技术似乎很有希望，但是在它能被广泛应用之前现存的严重的材料问题必须加以解决。纳米球珠和倍塞共聚物光刻术则提供了将第一步和第二步整合的解决方案。在这些技术中，图形由球珠的尺寸或者倍塞共聚物的成分来确定。然而，用这两种光刻术刻写的纳米结构的形状非常有限。当这些技术被人们看好有很大的希望用来刻写图形以便生长出有序的纳米量子点阵列时，它们却完全不适于用来刻制任意形状和复杂结构的图形。为了能够制造出高质量的纳米器件，不但必须能够可靠地将图形转移到功能材料上，还必须保证在刻蚀过程中引入最小的损伤。湿法腐蚀技术典型地不产生或者产生最小的损伤，可是湿法腐蚀并不十分适于制备需要陡峭侧墙的结构，这是因为在掩模版下一定程度的钻蚀是不可避免的，而这个钻蚀决定性地影响微小结构的刻制。另一方面，用干法刻蚀技术，譬如，反应离子刻蚀(RIE)或者电子回旋共振（ECR）刻蚀，在优化条件下可以获得陡峭的侧墙。直到今天大多数刻蚀研究都集中于刻蚀速度以及刻蚀出垂直墙的能力，而关于刻蚀引入损伤的研究严重不足。已有研究表明，能在表面下100nm深处探测到刻蚀引入的损伤。当器件中的个别有源区尺寸小于100nm时，如此大的损伤是不能接受的。还有就是因为所有的纳米结构都有大的表面-体积比，必须尽可能地减少在纳米结构表面或者靠近的任何缺陷。
随着器件持续微型化的趋势的发展，普通光刻技术的精度将很快达到它的由光的衍射定律以及材料物理性质所确定的基本物理极限。通过采用深紫外光和相移版，以及修正光学近邻干扰效应等措施，特征尺寸小至80nm的图形已能用普通光刻技术制备出。然而不大可能用普通光刻技术再进一步显著缩小尺寸。采用X光和EUV的光刻技术仍在研发之中，可是发展这些技术遇到在光刻胶以及模版制备上的诸多困难。目前来看，虽然也有一些具挑战性的问题需要解决，特别是需要克服电子束散射以及相关联的近邻干扰效应问题，但投影式电子束光刻似乎是有希望的一种技术。扫描微探针技术提供了能分辨单个原子或分子的无可匹敌的精度，可是此项技术却有固有的慢速度，目前还不清楚通过给它加装阵列悬臂樑能否使它达到可以接受的刻写速度。利用转移在自组装薄膜中形成的图形的技术，例如倍塞共聚物以及纳米球珠刻写技术则提供了实现成本不是那么昂贵的大面积图形刻写的一种可能途径。然而，在这种方式下形成的图形仅局限于点状或者柱状图形。对于制造相对简单的器件而言，此类技术是足够用的，但并不能解决微电子工业所面对的问题。需要将图形从一张模版复制到聚合物膜上的各种所谓“软光刻“方法提供了一种并行刻写的技术途径。模版可以用其他慢写技术来刻制，然后在模版上的图形可以通过要么热辅助要么溶液辅助的压印法来复制。同一块模版可以用来刻写多块衬底，而且不像那些依赖化学自组装图形形成机制的方法，它可以用来刻制任意形状的图形。然而，要想获得高生产率，某些技术问题如穿刺及因灰尘导致的损伤等问题需要加以解决。对一个理想的纳米刻写技术而言，它的运行和维修成本应该低，它应具备可靠地制备尺寸小但密度高的纳米结构的能力，还应有在非平面上刻制图形的能力以及制备三维结构的功能。此外，它也应能够做高速并行操作，而且引入的缺陷密度要低。然而时至今日，仍然没有任何一项能制作亚100nm图形的单项技术能同时满足上述所有条件。现在还难说是否上述技术中的一种或者它们的某种组合会取代传统的光刻技术。究竟是现有刻写技术的组合还是一种全新的技术会成为最终的纳米刻写技术还有待于观察。
另一项挑战是，为了更新我们关于纳米结构的认识和知识，有必要改善现有的表征技术或者发展一种新技术能够用来表征单个纳米尺度物体。由于自组装量子点在尺寸上的自然涨落，可信地表征单个纳米结构的能力对于研究这些结构的物理性质是绝对至关重要的。目前表征单个纳米结构的能力非常有限。譬如，没有一种结构表征工具能够用来确定一个纳米结构的表面结构到0.1À的精度或者更佳。透射电子显微术(TEM)能够用来研究一个晶体结构的内部情况，但是它不能提供有关表面以及靠近表面的原子排列情况的信息。扫描隧道显微术（STM）和原子力显微术（AFM）能够给出表面某区域的形貌，但它们并不能提供定量结构信息好到能仔细理解表面性质所要求的精度。当近场光学方法能够给出局部区域光谱信息时，它们能给出的关于局部杂质浓度的信息则很有限。除非目前用来表征表面和体材料的技术能够扩展到能够用来研究单个纳米体的表面和内部情况，否则能够得到的有关纳米结构的所有重要结构和组份的定量信息非常有限。
V.展望
选用熟期早、单株结薯多、薯块大小均匀、薯形美观、表皮光滑、食味好的品种，如红红1号、心香、浙薯13号等。①浙薯13：薯块外型美观，商品性好，口感粉，食味甜，鲜薯可溶性糖8.00%，薯块烘干率35.80%，出粉率21.96%，可作为食用、淀粉加工和烤薯加工用品种。②心香：薯块干物率34.50%，淀粉率20.00%，可溶性总糖6.22%，粗纤维含量6.22%，鲜薯蒸煮食味佳。③红红1号：薯块外型美观，商品性好，食味香甜可口，鲜薯可溶性糖10.0%，薯块烘干率33.50%，出粉率18.90%，可作为食用、淀粉加工和烤薯加工用品种。
2地块选择与整地
宜选择土质疏松肥沃的壤土，或土层厚、土壤疏松、通气性好的沙、壤土进行深耕晒白。采用高畦栽培，扩大根系活动范围，增大昼夜温差，为番薯生长创造良好的土壤环境。一般要求畦宽（连沟）70~110cm，畦高35cm。
3育苗管理
3.1种薯选择
选择无病种薯，种薯种前用2000倍80%402溶液浸种5min。
3.2苗床准备
选择避风向阳、肥力较好、管理方便的地块作苗床，畦宽150cm，畦高16～25cm，用腐熟栏肥作基肥，平整床面，四周开好排水沟。
3.3育苗
一般在3月中下旬开始育苗，也可适时早育。排种时，要求薯块斜放，顶部向上，尾部向下，相邻薯块间隔3~5cm，排好后浇稀粪水再覆土3cm，然后搭棚盖膜。
出苗前，保持床土湿润，床温28～30℃；出苗后，控制床温在25℃左右。如膜内温度超过35℃，要通风散热。种薯萌发后浇施人粪尿；苗高10~13cm时，再用人粪尿或复合肥加水浇施；苗长15cm以上、有5~7张大叶时，可以剪苗扦插，每剪1次苗，浇水施肥1次。
4大田栽培及管理
4.1整地
要求在晴天深耕整地。采用宽垄双行或窄垄单行栽培，宽垄距110~120cm，窄垄距75~80cm，垄高25~35cm。作垄时，用腐熟有机肥15t/hm2条施于垄心，然后做直、做平垄面，便于扦插。
4.2扦插
永嘉县山区以5月中旬至6月上旬扦插为佳，地膜覆盖的可适当提前。采用浅平插或斜插法，最好采用斜插法，扦插时种苗与地面成35~45°，斜插入土3~4节，有利于早生快发，结大薯。6月上旬扦插，宽垄双行株距25~30cm，窄垄单行株距20～25cm，扦插4.5万株/hm2左右。根据永嘉县山区易旱的气候特点和种植习惯，结合本品种个体长势旺的特点，5月中旬扦插，单行株距扦插适宜密度3.45~4.20万株/hm2，即株距28~33cm。扦插成活后立即查苗补苗。
4.3施肥与除草
施肥要少施氮肥，宜增施磷钾肥和腐熟有机肥。一般用有机肥22.5t/hm2+45%~48%复合肥150~225kg/hm2穴施作基肥，第1次在薯苗延藤时进行，以后每隔10~15d进行1次，共2~3次。扦插15~20d后，施硫酸钾型复合肥450~600kg/hm2。在生长中后期，选晴天露水干后提蔓，次数和间隔时间以防止不定根发生为准。宜在插后40~50d，结合提藤和中耕，施磷钾肥为主的复合肥300kg/hm2，为块根膨大期提供足够的养分。
5病虫害防治
病害主要有病毒病、黑斑病、紫纹羽病。防治方法：选择无病种薯，育苗排种前用80%的402药剂2000倍液浸5min，扦插苗可用25%多菌灵1500倍液或50%托布津2000倍液浸10min。虫害主要有斜纹夜蛾、番薯叶甲。斜纹夜蛾可在6月下旬用10%除尽1000倍液、5%抑太保800~1000倍液或48%乐斯本1000倍液喷雾。番薯叶甲可在薯苗扦插30d后，用20%三唑磷乳油600倍液或2.5%敌杀死4000倍液喷雾。
6收获与贮存
早中熟品种8月底9月初开始收获，迟熟品种10月中旬开始收获，最迟收获期在降霜之前。禁止雨天收获。收获时要轻挖、轻装、轻运、轻卸，防止薯皮和薯块碰伤。贮存要求温度在10~15℃，空气相对湿度在85%~90%。贮存场所应清洁卫生，做好防鼠、防毒工作。同时要有保温措施，防止冻伤和挤压，并注意通风散热。
由于WCDMA和CDMA2000这两种技术都是将CDMA技术用于蜂窝系统，许多的思想都是源于CDMA系统，因此WCDMA和CDMA2000有许多相试之处：从双工方式上看，WCDMA和CDMA2000属于FDD模式。WCDMA和CDMA2000都满足IMT-2000提出的技术要求，支持高速多媒体业务、分组数据和IP接入等。但它们在技术实现、规范标准化、网络演进等方面都存在较大差异。
WCDMA和CDMA2000各有优势和缺点。WCDMA技术较成熟，能同广泛使用的GSM系统兼容；相比第二代通信系统能提供更加灵活的服务；而且WCDMA能灵活处理不同速率的业务。其缺点是只能共用现有GSM系统的核心网部分，无线侧设备可以共用的很少。
CDMA2000的优势是可以和窄带CDMA的基站设备很好地兼容，能够从窄带CDMA系统平滑升级，只需增加新的信道单元，升级成本较低，核心网和大部分的无线设备都可用。容量也比IS-95A增加了两倍，手机待机时间也增加了两倍。缺点是CDMA2000系统无法和GSM系统兼容。
1.WCDMA与CDMA2000的物理层技术比较
WCDMA和CDMA2000物理层技术细节上有相似也有差异，由于考虑出发点不同，造成了不同的技术特点。WCDMA技术规范充分考虑了与第二代GSM移动通信系统的互操作性和对GSM核心网的兼容性；CDMA2000的开发策略是对以IS-95标准为蓝本的窄带CDMA的平滑升级。
（1）这两个标准的物理层技术相似点可以归纳为以下几点：
①内环均采用快速功率控制。CDMA系统是干扰受限系统，因此为了提高系统容量，应尽可能的降低系统的干扰。功率控制技术可以减少一系列的干扰，这意味着同一小区内可容纳更多的用户数，即小区的容量增加。因此CDMA系统中引入功率控制技术是非常必要的。
②系统都支持开环发射分集，信道编码采用卷积码和Turbo码。
③系统均采用软切换技术。所谓软切换是指移动台需要切换时，先与新的基站连通再与原基站切断联系，而不是先切断与原基站的联系再与新的基站连通。软切换只能在同一频率的信道间进行，因此模拟系统、TDMA系统不具有这种功能。软切换可以有效地提高切换的可靠性，大大减少切换造成的掉话。
④WCDMA工作频段：1900～2025MHz频段分配给FDD上行链路使用，2110～2170MHz频段分配给FDD下行链路使用，2110～2170MHz频段分配给TDD双工方式使用。其中WCDMA和CDMA2000利用1900～2025MHz频段(上行)，2110～2170MHz(下行)。
（2）两个标准的物理层技术差异可以归纳为以下几点：
①扩频码片速率和射频带宽。WCDMA根据ITU关于5MHz信道基本带宽的划分规则，将基本码片速率定为3.84Mcps。WCDMA使用带宽和码片速率是CDMA2000-1X的3倍以上，能提供更大的多路径分集、更高的中继增益和更小的信号开销。CDMA2000分两个方案，即CDMA2000-1X和CDMA2000-3X两个阶段。CDMA2000系统可支持话音、分组数据等业务，并且可实现QoS的协商。室内最高数据速率达2Mbit/s，步行环境384kb/s，车载环境144kb/s。CDMA2000在前向和反向CDMA信道在单载波上采用码片速率1.2288Mcps的直接序列扩频，射频带宽为1.25MHz。
②支持不同的核心网标准。WCDMA要求实现与GSM网络的兼容，所以它把GSMMAP协议作为上层核心网络议；CDMA2000要求兼容窄带CDMA，因此它把ANSI-41作为自己的核心网络协议。
③WCDMA进行功率控制的速度是CDMA2000的2倍，能保证更好的信号质量，并支持多用户。
④为了使支持基于GSM的GPRS业务而部署的所有业务也支持WCDMA业务，为了完善新的数据话音网络，CDMA2000-1x需要添加额外的网元或进行功能升级。
2.WCDMA与CDMA2000网络接口的比较
3G标准的基本目标是能在车载、步行和静止各种不同环境下为多个用户分别提供最高为144kbit/s、384kbit/s和2048kbit/s的无线接入数据速率。为多个用户提供可变的无线接入数率是3G标准的核心要求。CDMA2000可分别用于900MHZ和2GHZ两个频段CDMA2000的码片速率与IS-95相同，两系统可以兼容。WCDMA的码片速率为3.84Mcps，显然WCDMA系统中低速率用户或语音用户的移动台成本会大幅上升，在CDMA2000系统中则不会如此。
WCDMA的接口标准规范、制定严谨、组织严密，而CDMA2000的接口标准严谨性有待加强。IS-95厂家设备难以互通，给运营商设备选型带来了较大问题；3G许诺的高速无线数据服务必须可以和话音一样实现无缝的漫游，这是至关重要的。多媒体信息要漫游、视频通话也要漫游，没有这些基本要素，3G就不能称其为3G。漫游涉及到的不仅仅是技术问题，更重要的是商业利益。在这方面WCDMA显然更胜一筹，它支持全球漫游，全球移动用户均有唯一标识，而CDMA2000尚不能很好做到这一点。
3.WCDMA和CDMA2000网络演进的比较
（1）WCDMA的网络演进技术
现有的GSM系统利用单一时隙可提供9.6kbit/s的数据服务。如果复用多个时隙就能升级为HSCSD（高速电路交换数据）方式；此后出现了GPRS（通用分组无线业务），首次在核心网中引入了分组交换的方式，可提供144kbit/s的数据速率。接着继续升级采用8PSK调制，这样传输速率可以上升至384kbit/s这就是EDGE；WCDMA的数据传输速率将高达2M/s。
（2）CDMA2000网络演进技术
主要的CDMA2000运营商将来自现在的窄带CDMA运营商。窄带CDMA向CDMA2000过渡的方式为IS-95AIS95BIS-95CIMT2000。IS-95A的数据传输速率为14.4kbit/s，为了提供更高的速率，1999年部分厂商开始采用IS-95B标准，理论上支持115.2kbit/s的速率。IS-95C进一步使容量加倍，最后升级为CDMA2000。
窄带CDMA系统向CDMA2000系统的演进分为空中接口、网络接口及核心网络演进等方面。
①目前窄带CDMA系统的空中接口是基于IS295A，其支持的数据速率为14.4kbit/s，由IS295A升级到IS295B，可支持64kbit/s。
②窄带CDMA网络接口的演进主要指窄带CDMA系统A接口的升级和演进。对于窄带CDMA系统，以前其A接口不是规范接口(即不是开放接口)，窄带CDMA和GSM的A接口的规范相比较，GSM是先有A接口标准，然后厂家依据标准开发；窄带CDMA是厂家各自开发，然后广泛宣传，最后凭借自身影响修改标准。
③窄带CDMA的核心网在美国经过多年发展后，从IS241A到IS241B到IS241C，我国CDMA试验网和红皮书以IS241C为基础，IS241D规范在1999年底，目前IS241E规范还未正式。
二、WCDMA和CDMA2000在我国的前景
对3G标准的选择不仅要看其技术原理及成熟程度，还要结合本国国情、市场运作状况等因素进行考虑。按目前的进展来看，两种标准最后不能融合成一种，但可以共存。
在我国，GSMMAP网络已形成巨大的规模，欧洲标准的WCDMA在网络上充分考虑到与第二代的GSM的兼容性，在技术上也考虑了与GSM的双模切换兼容，向WCDMA体制的第三代系统演进，从一开始就解决了全网覆盖的问题。而且CDMA2000采用GPS系统，对GPS依赖较大；在小区站点同步方面，CDMA2000基站通过GPS实现同步，将造成室内和城市小区部署的困难，而WCDMA设计可以使用异步基站，运营者独立性强；对于电信设备制造行业，我国在GSM蜂窝移动通信方面发展成熟，而窄带CDMA系统尚未形成规模和产业。
WCDMA采用全新的CDMA多址技术，并且使用新的频段及话音编码技术等。因此GSM网络虽然可采用一些临时的替代方案提供中等速率的数据服务，却不能提供一种相对平滑的路径以过渡到WCDMA。而CDMA2000的设计是以IS-95系统的丰富经验为依据的，因此窄带CDMA向CDMA2000的演进无论从无线还是网络部分都更为平滑。在基站方面只需更新信道板，并将系统软件升级，即可将IS-95基站升级为CDMA2000基站。
由此可见,WCDMA和CDMA2000还将长时间在我国共存，鹿死谁手？尚未分晓。
参考文献：
［1］TeroOjanpera，RamjeePrasad.朱旭红译.宽带CDMA：第三代移动通信技术.北京：人民邮电出版社.
［2］杨大成.CDMA2000-1X移动通信系统.北京：机械工业出版社,2003.
［3］罗凌，焦元媛，陆冰.第三代移动通信技术与业务.北京：人民邮电出版社，2005.
在利用激光进行的三维测量中应用最广泛的测量方法主要有三种：干涉法、飞行时间法和三角法。1.1干涉法干涉法测量是利用激光的干涉原理来完成对物体测量的一种方法，其原理是将一束相干光通过分光系统分成测量光和参考光，通过测量光波与参考光波相干叠加产生的干涉条纹变化量来获得物体表面的深度信息。干涉法的测量精度高，在100m范围内可以获得0.1mm的分辨率。1.2飞行时间法飞行时间法是通过测量脉冲光束的飞行时间来测量距离的一种测量方法，其原理是通过测量发射和接收激光脉冲信号的时间差来间接获得被测目标的距离。飞行时间法以时间分辨率来换取距离测量精度，精度相对较低，一般在1mm左右，精度高的测量头可达亚毫米级，常用于大尺度远距离测量。1.3三角法三角法是光学测量中最常见的一种测量方法。它是将待测点的深度坐标，通过不同的检测元件，利用几何三角关系转换为相对于光学基准的偏移量进而计算出该点深度值。根据具体照明方式的不同，光学三角法可分为两大类：被动三角法和主动三角法。激光三角法测量是基于激光的主动三角法，是近年来研究较多、发展比较成熟的一种测距方法。其测量原理是：由光源发出的光照射到被测物体表面上，反射后在检测器（如：CCD）上成像，物体表面的位置改变，检测器上成的像也随之改变，由几何三角关系即可通过对像移的检测和计算出实际高度。激光三角法测量的精度取决于感光设备的敏感程度、与被测表面的距离、被测物表面的光学特性等，适合于近距测量，精度一般在丝米级。
2测量方法的选择
船板的形状尺寸测量是一个典型的外表面三维曲面测量。由于船板是一个连续而光滑的曲面，因此，可以将整个曲面离散成m×n个点，通过测量得到这些点的坐标值后，即可通过软件拟合出整个曲面。由于传统的接触式测量，存在探头易磨损，需要人工干预，价格昂贵，对使用环境有一定要求，测量速度慢，效率低等问题，因此，虽然其有较高的测量精度，但确并不适合应用在船板多点成形在线测量中。对比三种常用的激光测量方法，测量精度均能满足船板的测量要求。本着实用而不浪费的原则，由于干涉法测量所需的测量设备成本较另外两种方法高出很多，并且使用时需反射镜，现场在线使用不方便，速度慢效率低，因此，采用飞行时间法或三角法的激光测量传感器比较适合船板三维测量，其设备价格较低，对测量表面的要求不高，并且可直接测量，使用灵活方便。
3扫描装置
扫描装置是激光测量头的安装平台，其作用是带动激光测量头沿X轴和Y轴运动，完成对整个测量表面的扫描，并在测量的同时给出测量点的X方向和Y方向的坐标值。为了提高测量效率，最终确定扫描装置采用多点方式，这样可以大大提高船板多点成形的生产效率。由于多点测量方式使用的激光测量头数量较多，因此，在满足测量精度要求的前提下，选择了价格相对较低的飞行时间法激光测量头。扫描系统由电动滑台、联轴器、接轴、减速机、伺服电机、测量架、测头等部分组成(见图1)。电动滑台和减速机通过架子固定在上模座上，伺服电机与减速机相连，并通过接轴与电动滑台连接，测量架固定在电动滑台上。测量时，在伺服电机驱动下，电动滑台带动测量架沿X方向移动，每走一个步长测头测量当前X坐标下各点的Z坐标值，直到测量完整个板材表面点阵(见图2)。
4结束语
