晶体生长杂志

SCIE

期刊简介

该期刊为从事晶体生长实验和理论方面研究及其应用（例如在设备中）的工作者提供了通用的参考和出版资源。以下领域的实验和理论贡献均已发表：成核和生长理论、分子动力学和传输现象、聚合物和玻璃等粘性介质中的结晶；金属、矿物、半导体、超导体、磁性材料、无机、有机和生物物质的块体或薄膜晶体生长；分子束外延、化学气相沉积、III-V 和 II-VI 以及其他半导体的生长；通过物理和化学方法表征单晶；晶体生长的装置、仪器和技术以及净化方法；多层异质结构及其表征，重点是电子材料的晶体生长和外延方面。该期刊的一大特色是定期收录有关晶体生长相关方面的研讨会和会议论文集。

晶体生长杂志创刊于1967年，由Elsevier出版社出版。其研究的主题领域包括但不限于化学-晶体学，是一本在材料科学领域具有重要影响力的国际期刊。该期刊涵盖了材料科学的多个子领域，旨在全面理解和解决材料科学问题。

根据最新的数据，晶体生长杂志的影响因子为1.7，CiteScore为3.6，h-index为136，SJR为0.379，SNIP为0.768，中科院分区为4区，这些指标均显示了该期刊在材料科学领域的优秀地位。

该刊以Multi-Language作为出版语言。对于Multi-Language非母语的作者，期刊建议使用语言编辑服务，以确保文稿的语法和拼写错误得到纠正，并符合科学Multi-Language的标准。如果想实现快速顺利的投稿发表，建议您联系本站的客服团队，将为您提供专业的选刊建议，并在整个投稿过程中提供细致的指导。